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廣電計量檢測股份有限公司企業(yè)會員第1年
聯(lián)系電話:
所在區(qū)域:廣東 廣州市
經(jīng)營范圍:集便器、側(cè)窗系統(tǒng)、安規(guī)測試、物質(zhì)檢測、電磁兼容、咨詢輔導(dǎo)、衛(wèi)生檢測、壽命研究、失效分析、環(huán)境試驗、仿真分析、安全工器具、門系統(tǒng)檢測、座椅系統(tǒng)檢測、揮發(fā)性有機(jī)物、防火阻燃檢測、電磁干擾分析、環(huán)保性能檢測、材料性能檢測、電磁防護(hù)設(shè)計
企業(yè)信息認(rèn)證
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DDR器件，即雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵組件。DDR器件以其高速度、大容量和低功耗的特性，在計算機(jī)、服務(wù)器、通信設(shè)備和消費電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著科技的快速發(fā)展，DDR器件不斷更新?lián)Q代，性能要求也在不斷提高，其電參數(shù)測試成為了確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩(wěn)定的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
電性能參數(shù)簡介
電性能參數(shù)作為DDR器件在電路中行為特性的核心描述，反映了器件在不同工作狀態(tài)下的綜合表現(xiàn)。DDR器件的電性能參數(shù)主要包括各狀態(tài)工作電流、時鐘頻率、數(shù)據(jù)傳輸速率以及延遲時間等關(guān)鍵要素。這些參數(shù)對DDR器件的性能表現(xiàn)具有決定性作用。具體而言，工作電流的大小直接關(guān)系到DDR器件的應(yīng)用環(huán)境及功耗水平；時鐘頻率和數(shù)據(jù)傳輸速率則共同決定了DDR器件的數(shù)據(jù)處理能力；而延遲時間則是影響系統(tǒng)響應(yīng)速度和整體性能不可忽視的因素。
值得注意的是，各代DDR器件在電性能參數(shù)和工作條件方面存在顯著差異。為了深入了解這些差異，我們可以參考相關(guān)的器件手冊。例如，下圖展示了某DDR器件規(guī)格書的扉頁。從規(guī)格書中可以獲取詳細(xì)的電性能參數(shù)和工作條件信息。這些信息對于正確選擇和應(yīng)用DDR器件至關(guān)重要。
主要測試設(shè)備
V93000-CTH
1. V93000-CTH是一臺先進(jìn)的超大規(guī)模集成電路自動化測試系統(tǒng)，專為數(shù)字邏輯芯片、混合信號芯片、片上系統(tǒng)SoC芯片等產(chǎn)品的測試而設(shè)計，測試范圍廣泛；
2. 采用先進(jìn)的Smartest軟件平臺，為用戶提供強(qiáng)大的編程和測試功能，使得測試程序的開發(fā)更為快速和高效；
3. 平臺在數(shù)字測試通道數(shù)方面，V93000-CTH具有出色的可擴(kuò)展性，可以從128通道擴(kuò)展至2048通道（以128通道為最小擴(kuò)展單位）；
4. 系統(tǒng)支持多種測試速度，其搭配的PS 9G板卡最高可以提供9 Gbps的測試速率。此外，該設(shè)備還支持多種測試速度的數(shù)字通道板卡混插，從而滿足不同的測試需求；
5. 高效的測試效率：V93000-CTH具有出色的測試速度，與傳統(tǒng)的測試設(shè)備相比，它能夠更快地完成測試任務(wù)，從而提高測試效率。
測試案例
在進(jìn)行DDR測試開發(fā)之前，器件的各項參數(shù)指標(biāo)是我們必須首要關(guān)注的要點。為確保測試的準(zhǔn)確性和可靠性，我們必須選擇適當(dāng)?shù)臏y試平臺，并設(shè)計符合要求的測試夾具和測試板卡。這些工具的選擇對測試結(jié)果的精確性和穩(wěn)定性具有直接影響。此外，DDR的時序配置亦不可忽視，它涉及到器件初始化、激活、預(yù)充電以及內(nèi)存讀寫等操作的時序控制，對于保障內(nèi)存的穩(wěn)定性和性能具有決定性作用。
在DDR的各項電參數(shù)中，關(guān)鍵的DC參數(shù)包含了IDD0、IDD1（Operating one bank Current），IDD2(Precharge Current)，IDD3（Active Current），IDD4(Operating burst write/read current )，IDD5、IDD6（Refresh Current），IDD7(Operating bank interleave read current)和IDD8（Reset Current）等，其中最小的工作電流通常小于十毫安，最大的工作電流則可能達(dá)到幾百毫安級。
而關(guān)鍵的AC參數(shù)有tCK（System Clock），tAC（DQ output access time to/from CK/CK#），tDQSCK（DQS/DQS# rising to/from rising CK/CK#）等，其中系統(tǒng)時鐘通常為納秒級參數(shù)，關(guān)鍵參數(shù)如tDQSCK則為皮秒級延時參數(shù)。
下組圖為廣電計量測試某型號DDR器件時的示意圖，通過定制合適的測試板以及測試夾具，配合適當(dāng)配置的ATE平臺，對相應(yīng)的DDR樣品進(jìn)行測試。
測試能力
廣電計量引進(jìn)國內(nèi)外先進(jìn)的測試技術(shù)和設(shè)備，搭建了DDR器件相關(guān)關(guān)鍵參數(shù)的測試開發(fā)能力。此外，廣電計量也致力于發(fā)展數(shù)字邏輯芯片、混合信號芯片以及片上系統(tǒng)SoC芯片等多元化器件的測試能力，為我國芯片產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了強(qiáng)有力的驗證保障，為芯片產(chǎn)品的順利上市保駕護(hù)航。
