肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。*****的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里面，通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是74LS，74ALS，74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基（Schottky）二極管的比較大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短，河北低正向肖特基二極管伏安特性。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些，河北低正向肖特基二極管伏安特性。選用時(shí)要***考慮，河北低正向肖特基二極管伏安特性。鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。河北低正向肖特基二極管伏安特性

　　穩(wěn)壓二極管，是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。，穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí)，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí)，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。廣東插件二極管特性傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。

　　穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。 此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。

　　變?nèi)荻O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其比較大值為幾十pF到幾百pF，比較大電容與**小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。圖2變?nèi)荻O管與反向偏壓變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的，如圖2所示。2、變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解：(a)反向偏壓增加，造成電容減少；(b)反向偏壓減少，造成電容增加。電容誤差范圍是一個(gè)規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示**小值、標(biāo)稱值及比較大值，這些經(jīng)常繪在圖上。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。

　　高壓SBD圖2肖特基二極管長(zhǎng)期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級(jí)邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設(shè)計(jì)者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國(guó)IR公司和APT公司以及ST公司瞄準(zhǔn)高壓SBD的巨大商機(jī)，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢(shì)壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)，如圖2所示。采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N－區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓*約，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。河北低正向肖特基二極管伏安特性

　　插件二極管的封裝類型有DO-201,DO-27,DO-41等。河北低正向肖特基二極管伏安特性

　　激光二極管的發(fā)光原理：激光二極管中的P-N結(jié)由兩個(gè)摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個(gè)平端結(jié)構(gòu)，平行于一端鏡像（高度反射面）和一個(gè)部分反射。要發(fā)射的光的波長(zhǎng)與連接處的長(zhǎng)度正好相關(guān)。當(dāng)P-N結(jié)由外部電壓源正向偏置時(shí)，電子通過結(jié)而移動(dòng)，并像普通二極管那樣重新組合。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，光子被釋放。這些光子撞擊原子，導(dǎo)致更多的光子被釋放。隨著正向偏置電流的增加，更多的電子進(jìn)入耗盡區(qū)并導(dǎo)致更多的光子被發(fā)射。**終，在耗盡區(qū)內(nèi)隨機(jī)漂移的一些光子垂直照射反射表面，從而沿著它們的原始路徑反射回去。反射的光子再次從結(jié)的另一端反射回來。光子從一端到另一端的這種運(yùn)動(dòng)連續(xù)多次。在光子運(yùn)動(dòng)過程中，由于雪崩效應(yīng)，更多的原子會(huì)釋放更多的光子。這種反射和產(chǎn)生越來越多的光子的過程產(chǎn)生非常強(qiáng)烈的激光束。在上面解釋的發(fā)射過程中產(chǎn)生的每個(gè)光子與在能級(jí)，相位關(guān)系和頻率上的其他光子相同。因此，發(fā)射過程給出單一波長(zhǎng)的激光束。為了產(chǎn)生一束激光，必須使激光二極管的電流超過一定的閾值電平。低于閾值水平的電流迫使二極管表現(xiàn)為L(zhǎng)ED，發(fā)出非相干光。河北低正向肖特基二極管伏安特性

　　上海來明電子有限公司成立于2010年，是一家致力于電子元器件服務(wù)的供應(yīng)鏈整合管理機(jī)構(gòu)，專注為客戶提供電子元器件產(chǎn)品及一站式供應(yīng)鏈解決方案，包括長(zhǎng)期成本降低、急需元器件交貨、物料清單供應(yīng)解決方案等，致力于成為全球的電子元器件服務(wù)商。豐富的電子元器件行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)資源及渠道，推進(jìn)公司與合作伙伴在業(yè)務(wù)發(fā)展、銷售渠道等方面的對(duì)接和整合，為客戶提供增值服務(wù)，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值，憑借團(tuán)隊(duì)豐富的經(jīng)驗(yàn)、海量質(zhì)量貨源、系統(tǒng)的供應(yīng)鏈、完善的質(zhì)量保證體系，公司獲得客戶的認(rèn)可與好評(píng)。